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[Super trench MOSFET] D15N10F

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：100
Id(A)：15
Pd(W)：18
Vgs(MAX)(V)：±20
Vth(Min)(V)：1.0
Vth(Max)(V)：3.0
RDS(on)(typ)(Ω)@1.8V：
RDS(on)(typ)(Ω)@2.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.086
Qg(typ)(nc)@4.5V：
Qg(typ)(nc)@10V：21.5
Ciss(typ)(pF)：966
Rg(Ω)：
OUTLINE...：ITO-220

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[Super trench MOSFET] D15N10

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：100
Id(A)：15
Pd(W)：45
Vgs(MAX)(V)：±20
Vth(Min)(V)：1.0
Vth(Max)(V)：3.0
RDS(on)(typ)(Ω)@1.8V：
RDS(on)(typ)(Ω)@2.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.086
Qg(typ)(nc)@4.5V：
Qg(typ)(nc)@10V：21.5
Ciss(typ)(pF)：966
Rg(Ω)：
OUTLINE...：TO-220

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[Planar MOSFET] 5N50M

Vds(V)：500
Id(A)：5
Pd(W)：110
Vgs(MAX)(V)：±30
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：1.5
Qg(typ)(nc)@10V：9.2
Ciss(typ)(pF)：560
OUTLINE：TO-252

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[IGBT] GP40N120FTD

VCES(V)：1200
VGES(V)_(Max)：±20
Ic@25℃（A）：65
Ic@100℃（A）：40
VCE(sat)(V)：2.0
Pd(W)：280
VF@25℃(V)：1.75
OUTLINE：TO-247

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[IGBT] GP25N120FTD

VCES(V)：1200
VGES(V)_(Max)：±20
Ic@25℃（A）：50
Ic@100℃（A）：25
VCE(sat)(V)：1.95
Pd(W)：208
VF@25℃(V)：2.7
OUTLINE：TO-247

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[IGBT] GP80N65FTD

VCES(V)：650
VGES(V)_(Max)：±20
Ic@25℃（A）：160
Ic@100℃（A）：80
VCE(sat)(V)：1.5
Pd(W)：375
VF@25℃(V)：1.8
OUTLINE：TO-247

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[IGBT] GP75N65F

VCES(V)：650
VGES(V)_(Max)：±20
Ic@25℃（A）：150
Ic@100℃（A）：75
VCE(sat)(V)：1.7
Pd(W)：438
VF@25℃(V)：1.75
OUTLINE：TO-247

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[IGBT] GP60N65FTD

VCES(V)：650
VGES(V)_(Max)：±20
Ic@25℃（A）：120
Ic@100℃（A）：60
VCE(sat)(V)：1.9
Pd(W)：428
VF@25℃(V)：1.65
OUTLINE：TO-247

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[IGBT] GP50N65FTD

VCES(V)：650
VGES(V)_(Max)：±20
Ic@25℃（A）：100
Ic@100℃（A）：50
VCE(sat)(V)：1.6
Pd(W)：440
VF@25℃(V)：1.9
OUTLINE：TO-247

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[IGBT] GP40N65FTD

VCES(V)：650
VGES(V)_(Max)：±20
Ic@25℃（A）：80
Ic@100℃（A）：40
VCE(sat)(V)：1.8
Pd(W)：280
VF@25℃(V)：1.85
OUTLINE：TO-247

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[IGBT] GP30N65FTD

VCES(V)：650
VGES(V)_(Max)：±20
Ic@25℃（A）：60
Ic@100℃（A）：30
VCE(sat)(V)：1.7
Pd(W)：220
VF@25℃(V)：1.85
OUTLINE：TO-247

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[IGBT] G20N65FTD

VCES(V)：650
VGES(V)_(Max)：±20
Ic@25℃（A）：40
Ic@100℃（A）：20
VCE(sat)(V)：1.9
Pd(W)：100
VF@25℃(V)：1.75
OUTLINE：TO-220C

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[IGBT] GF15N65NPTD

VCES(V)：650
VGES(V)_(Max)：±20
Ic@25℃（A）：30
Ic@100℃（A）：15
VCE(sat)(V)：1.95
Pd(W)：80
VF@25℃(V)：1.75
OUTLINE：ITO-220

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[超快恢复二极管] MURS30120PT

IF(A)：30.0
VRRM(V)：1200
IFSM(A)：150
VF(V)：3.3
@IF(A)：15.0
IR@25℃(uA)：5
trr(ns)：50
OUTLINE：TO-247AB

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[汽车级产品] SS14LS

IF(A)：1.0
VRRM(V)：40
IFSM(A)：40
VF(V)：0.45
@IF(A)：1.0
IR@25℃(uA)：200
trr(ns)：
OUTLINE：SMAF
是否符合AEC-Q101：Y

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[汽车级产品] SS56C-V

IF(A)：5.0
VRRM(V)：60
IFSM(A)：120
VF(V)：0.68
@IF(A)：5.0
IR@25℃(uA)：50
trr(ns)：
OUTLINE：SMC
是否符合AEC-Q101：Y

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[肖特基二极管] SR30150M1

IF(A)：30.0
VRRM(V)：150
IFSM(A)：200
VF(V)：0.90
@IF(A)：15.0
IR@25℃(uA)：10
trr(ns)：
OUTLINE：TO-252(DPAK)

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[Planar MOSFET] 20N80P

Vds(V)：800
Id(A)：20
Pd(W)：400
Vgs(MAX)(V)：±30
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.5
Qg(typ)(nc)@10V：74
Ciss(typ)(pF)：4150
OUTLINE：TO-247

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[整流桥] KBP310

IF(A)：3.0
VRRM(V)：1000
IFSM(A)：90
VF(V)：1.0
@IF(A)：1.5
IR@25℃(uA)：5
trr(ns)：
OUTLINE：KBP

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[整流桥] KBP308

IF(A)：3.0
VRRM(V)：800
IFSM(A)：90
VF(V)：1.0
@IF(A)：1.5
IR@25℃(uA)：5
trr(ns)：
OUTLINE：KBP

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