济南晶恒 1997—
中国半导体分立器件研发制造基地
电子芯片,稳压二极管,开关二极管

标题

VRWM(V)

VBRmin(V)

Cj(pF)

Ipp(A)

Vc(V)

Ppp(W)

A/C

Lines

OUTLINE

ESD3C3V01L 3.0 4.0 1.5 20 18 350 C 1 SOD-323
ESDT23A3V02V 3.0 4.0 200 24 16 350 A 2 SOT-23
ESDN2L1006C3V31V 3.3 3.8 15 10 8 80 C 1 DFN1006-2L
ESD5C3V31V 3.3 3.8 15 10 8 80 C 1 SOD523
ESD3C3V31U 3.3 4.0 0.8 20 13.5 300 C 1 SOD-323
ESDN2L1006C3V31U 3.3 4.5 0.8 7 16 100 C 1 DFN1006
ESDN2L0603C5V01R 5.0 5.5 0.3 5 20 100 C 1 DFN0603
ESDN2L1006C5V01V-B 5.0 5.5 17 8 8 80 C 1 DFN1006
ESDN2L0603C5V01R 5.0 6.0 0.5 3.5 15 60 C 1 DFN0603
ESDN2L0603C5V01V 5.0 6.5 17 8 10 80 C 1 DFN0603
ESDN2L1006C5V01U 5.0 6.0 0.5 3.5 15 60 C 1 DFN1006
ESD3C5V01U2 5.0 6.0 0.8 7 16 100 C 1 SOD323
ESDN2L1006C5V01L 5.0 6.0 1.2 12 17 200 C 1 DFN1006
ESDN2L1006C5V01R 5.0 6.5 0.5 4 25 100 C 1 DFN1006
ESD1A5V01V 5.0 6.2 95 13 13 170 A 1 SOD-123
ESD3C5V01V 5.0 6.0 70 20 21 400 C 1 SOD323
ESD3C5V01V 5.0 6.0 300 120 13.5 1620 C 1 SOD323
ESD5C5V01V-13P 5.0 6.0 15 10 10 100 C 1 SOD523
ESDN2L1006A5V01V 5.0 6.0 220 30 15 450 A 1 DFN1006
ESDN2L1006C5V01V 5.0 6.0 8 6 11 65 C 1 DFN1006
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