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中国特种二极管研发制造基地
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Vds(V)

Id(A)

Pd(W)

Vgs(MAX)(V)

RDS(on)(typ)(Ω)@10V

Qg(typ)(nc)@10V

Ciss(typ)(pF)

OUTLINE

2N7002K 60 0.34 0.35 ±20 1.3 1.7 18
12N65 650 12 225 30 0.65 42 1480
10N65 650 10 156 30 0.88 24 1200
7N65 650 7 142 30 1.35 38 1210
4N65 650 4 106 30 2.0 100 670
2N65 650 2.0 44 30 4.0 5.7 300
2N60 600 2.0 44 30 4.0 5.7 300
MOSFET
SJ11N60 600 11 151 ±30 0.38 32 720 TO-220
SJ11N60F 600 11 35 ±30 0.38 32 720 ITO-220
SJ11N60D 600 11 151 ±30 0.38 32 720 TO-263
SJ21N60 600 21 151 ±30 0.13 46 2328 TO-220
SJ21N60F 600 21 34 ±30 0.13 46 2328 ITO-220
SJ21N60D 600 21 151 ±30 0.13 46 2328 TO-263
SJ21N60E 600 21 151 ±30 0.13 46 2328 TO-262
SJ21N60N 600 21 151 ±30 0.13 46 2328 TO-251
SJ21N60M 600 21 151 ±30 0.13 46 2328 TO-252
SJ11N65 650 11 151 ±30 0.38 32 720 TO-220
SJ11N65F 650 11 35 ±30 0.38 32 720 ITO-220
SJ11N65D 650 11 151 ±30 0.38 32 720 TO-263
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