GSR2045A同步整流器助力产品效率提升

    H：对于典型的笔记本适配器，可节约1.5W功率，比普通SKY二极管，温度可降低10℃以上。

      工作原理
     1 ：基本描述
     GSR2045A支持CCM、DCM和QR电路模式。工作在DCM或QR模式时，控制电路在正向导通时，把电子开关（MOSFET）打开，在MOSFET电流非常小时， 把电子开关关断。在CCM模式时，当出现快速瞬变时，把电子开关关断。
   

     2：IC供电
    芯片自行供电，无需外加电源。

     3： 消隐（屏蔽）功能
     控制电路具有消隐功能。当驱动MOSFET开/关时，这个功能能确保开/关时的状态能持续一定的时间。打开时的消隐时间为1.6us，这个时间也决定了最小的导通时间。在打开时的消隐期间，关断阈值点不完全被屏蔽，但把阈值电压从-20mV变为+50mV。这就确保本产品即使在打开时的消隐期间，也能可靠地关断。（即使速度变慢一点，也不推荐在CCM模式下，同步周期少于1.6us，否则，可能会出现直通）。

    4： 打开（开通）阶段
    当同步整流MOSFET要导通时，电流首先流过体二极管，产生一个负的Vds电压，因为这个体二极管的压降（≤500mV）大大低于打开时的阈值点（-70mV），接着，延迟150ns后，把栅极驱动电压拉高，打开同步MOSFET。
一旦到达打开阈值点-70mV，会再叠加一个1.6us的消隐时间，同时，关断阈值电压由-30mV变为+50mV。这个消隐时间有助于避免由于同步MOSFET打开时的振铃而引起的 关断状态的误触发。

    5 ：导通阶段
    当同步MOSFET打开后，Vds会按照其通态电阻的大小而上升。一旦Vds超过-70mV，控制电路会停止提拉栅极电压，这将导致栅极电压在栅极下拉电阻（10KΩ）作用下，增加MOSFET的通态电阻，从而抑制Vds的上升。这样做，Vds被调整到大约-70mV，即使流过MOSFET的电流相当小时。这个功能能使栅极驱动电压当MOSFET要被关断时变得很低，以实现快速关断MOSFET（这个功能在打开时的消隐时段同样有效，意味着即使同步MOSFET在非常小的占空比时，栅极驱动也能关断）。

    6： 关断阶段
    当Vds上升到关断阈值点-20mV时，经过20ns的关断延迟后（见图2），栅极电压被拉低。同打开阶段一样，同步MOSFET被关闭后，会有一个200ns的消隐时间，以避免误触发。图3显示的是重载条件下的同步整流操作情况。对于大的电流，栅极电压首先会饱和，Vds超过-70mV后，栅极电压会逐步调整，使Vds约为-70mV。