论功率MOSFET的五种失效模式

          众所周知，MOS在电路中发挥着非常重要的作用，那么MOS都有哪些失效模式呢？想必工程师朋友们都非常的关心。那么我们今天就来深入探讨一下MOS的实效模式。

总的来说，MOS的失效模式大致分为五类：

1.雪崩失效：如果在D极-S极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS（根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生失效的现象。

2.SＯA(Safe Operation Area )失效：超出作为器件最大额定值的漏极电流Id、漏极源极电压VDSS、沟道损耗Pth(W)，即大多数的失效是由超出安全区域引起发过热而导致的。 

3.内置二极管失效:在D-S间构成的寄生二极管运行时，由于器件在关短时，二极管会产生一个方向电流，如果方向电流超出二极管的耐受能力就会导致二极管失效。 

4.寄生振荡导致的失效:此失效方式在并联时尤其容易发生。当器件高速反复开关，MOSFET的节电容Cgd(Crss)和G(栅)极引脚电感Lg易形成寄生振荡。当谐振频率(ωL=1/ωC)成立时，就可能导致MOS体内寄生的三极管导通，从而引起MOS失效。

5.栅极过压、静电失效:主要有因在栅极和源极之间过压，引起的击穿损坏。

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