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带你了解第三代半导体崛起背后的故事

返回列表 来源:晶恒 浏览:- 发布日期:2020-10-12 15:21:45【


          您了解第三代半导体吗?它为什么是当下这么火爆的材料?下面小编将为您揭开神秘的 面纱。

          第一代半导体材料是以硅(Si)和锗(Ge)为代表,目前大部分半导体是基于硅基的;第二代半导体材料是以砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)为代表,是4G时代的大部分通信设备的材料;第三代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石为四大代表,是5G时代的主要材料。第三代半导体的性能优势体现在:耐高压、耐高温、大功率、抗辐射、导电性能强、工作速度快、工作损耗低。

          根据Omdia的《 2020年SiC和GaN功率半导体报告》,到2020年底,全球SiC和GaN功率半导体的销售收入预计8.54亿美元。未来十年的年均两位数增长率,到2029年将超过50亿美元。根据Yole数据,到2024年SiC功率半导体市场规模将增长至20亿美元,其中,汽车市场占SiC功率半导体市场比重到2024年预计将达50%。第三代不管是弯道超车还是直道超车还是加速超车,在新跑道里中国还是有优势的,有几方面,最重要的是人才优势,不管在美国、欧洲还是东南亚,中国从事半导体行业的华人优势、工程师优势、创新优势是很明显的。

国信证券研报中也表示第三代半导体是中国大陆半导体的希望,并解释了原因:

第一,第三代半导体相比较第一代第二代半导体处于发展初期,国内和国际巨头基本处于同一起跑线。

第二,中国有第三代半导体的应用市场,我们可以根据市场定义产品,而不是像以前跟着国际巨头做国产化替代。

第三,第三代半导体难点不在设备、不在逻辑电路设计,而在于工艺,工艺开发具有偶然性,相比较逻辑芯片难度降低。

第四,对设备要求相对较低,投资额小,国内可以有很多玩家。在资本的推动下,可以全国遍地开花,最终走出来几家第三代半导体公司的概率很大。


          在第三代半导体材料中,SIC碳化硅的发展在功率器件市场成为绝对的焦点。

          SiC功率器件具有高耐压、低损耗、高效率等特性,高频高温,是同等硅器件耐压的10倍,能够降低系统尺寸和运行成本。使用SiC器件可令系统成本下降,性能显著提高,并且由于减少了外围被动器件的使用,系统尺寸可大幅缩减。济南晶恒电子掌握了SiC肖特基二极管的制备关键技术,具备了SiC肖特基产品稳定的生产能力,在产品性能、可靠性等方面具有国内领先水平。现在650V和1200V的SiC肖特基二极管是非常主力的拳头产品。晶恒制造的SIC二极管被众多客户信任并使用,在混合动力、光伏逆变器、矿机电源、电焊机和充电桩等产品上均发挥了出色的作用,为器件的国产化替代提供了非常扎实的基础。我们相信不久的将来,中国半导体事业将步入一个新的阶段!