带你了解第三代半导体崛起背后的故事

          您了解第三代半导体吗？它为什么是当下这么火爆的材料？下面小编将为您揭开神秘的 面纱。

          第一代半导体材料是以硅(Si)和锗(Ge)为代表，目前大部分半导体是基于硅基的；第二代半导体材料是以砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)为代表，是4G时代的大部分通信设备的材料；第三代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石为四大代表，是5G时代的主要材料。第三代半导体的性能优势体现在：耐高压、耐高温、大功率、抗辐射、导电性能强、工作速度快、工作损耗低。

          根据Omdia的《 2020年SiC和GaN功率半导体报告》，到2020年底，全球SiC和GaN功率半导体的销售收入预计8.54亿美元。未来十年的年均两位数增长率，到2029年将超过50亿美元。根据Yole数据，到2024年SiC功率半导体市场规模将增长至20亿美元，其中，汽车市场占SiC功率半导体市场比重到2024年预计将达50%。第三代不管是弯道超车还是直道超车还是加速超车，在新跑道里中国还是有优势的，有几方面，最重要的是人才优势，不管在美国、欧洲还是东南亚，中国从事半导体行业的华人优势、工程师优势、创新优势是很明显的。

国信证券研报中也表示第三代半导体是中国大陆半导体的希望，并解释了原因：

第一，第三代半导体相比较第一代第二代半导体处于发展初期，国内和国际巨头基本处于同一起跑线。

第二，中国有第三代半导体的应用市场，我们可以根据市场定义产品，而不是像以前跟着国际巨头做国产化替代。

第三，第三代半导体难点不在设备、不在逻辑电路设计，而在于工艺，工艺开发具有偶然性，相比较逻辑芯片难度降低。

第四，对设备要求相对较低，投资额小，国内可以有很多玩家。在资本的推动下，可以全国遍地开花，最终走出来几家第三代半导体公司的概率很大。

          在第三代半导体材料中，SIC碳化硅的发展在功率器件市场成为绝对的焦点。

          SiC功率器件具有高耐压、低损耗、高效率等特性，高频高温，是同等硅器件耐压的10倍，能够降低系统尺寸和运行成本。使用SiC器件可令系统成本下降，性能显著提高，并且由于减少了外围被动器件的使用，系统尺寸可大幅缩减。济南晶恒电子掌握了SiC肖特基二极管的制备关键技术，具备了SiC肖特基产品稳定的生产能力，在产品性能、可靠性等方面具有国内领先水平。现在650V和1200V的SiC肖特基二极管是非常主力的拳头产品。晶恒制造的SIC二极管被众多客户信任并使用，在混合动力、光伏逆变器、矿机电源、电焊机和充电桩等产品上均发挥了出色的作用，为器件的国产化替代提供了非常扎实的基础。我们相信不久的将来，中国半导体事业将步入一个新的阶段！