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[Planar MOSFET] 12N70D

Vds(V)：700
Id(A)：12
Pd(W)：250
Vgs(MAX)(V)：±30
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.71
Qg(typ)(nc)@10V：32
Ciss(typ)(pF)：2200
OUTLINE：TO-263(D2PAK)

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[Planar MOSFET] 12N70

Vds(V)：700
Id(A)：12
Pd(W)：250
Vgs(MAX)(V)：±30
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.71
Qg(typ)(nc)@10V：32
Ciss(typ)(pF)：2200
OUTLINE：TO-220

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[汽车级产品] SS510-V

IF(A)：5.0
VRRM(V)：100
IFSM(A)：120
VF(V)：0.82
@IF(A)：5.0
IR@25℃(uA)：5
trr(ns)：
OUTLINE：SMA
是否符合AEC-Q101：Y

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[肖特基二极管] SR10100

IF(A)：10.0
VRRM(V)：100
IFSM(A)：150
VF(V)：0.85
@IF(A)：10.0
IR@25℃(uA)：50
trr(ns)：
OUTLINE：DO-201AD

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[IGBT] JFF450R17MHT6

VCES(V)Min：1700
VGES(V)-(Max)：±20
Ic(A)：450
VCE(sat)typ(V)：2.23
Pd(W)：
VF(V)@25℃：2.57
OUTLINE：Econodual3
Circuit structure：Half bridge

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[IGBT] JFF400R17KHE6

VCES(V)Min：1700
VGES(V)-(Max)：±20
Ic(A)：400
VCE(sat)typ(V)：1.75
Pd(W)：
VF(V)@25℃：2.0
OUTLINE：62mm
Circuit structure：Half bridge

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[IGBT] JFF300R17MHT6

VCES(V)Min：1700
VGES(V)-(Max)：±20
Ic(A)：300
VCE(sat)typ(V)：1.71
Pd(W)：910
VF(V)@25℃：1.99
OUTLINE：Econodual3
Circuit structure：Half bridge

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[IGBT] JFF300R17KHT6

VCES(V)Min：1700
VGES(V)-(Max)：±20
Ic(A)：300
VCE(sat)typ(V)：2.0
Pd(W)：
VF(V)@25℃：1.80
OUTLINE：62mm
Circuit structure：Half bridge

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[IGBT] JFF600R12MHT6

VCES(V)Min：1200
VGES(V)-(Max)：±20
Ic(A)：600
VCE(sat)typ(V)：1.62
Pd(W)：2840
VF(V)@25℃：2.06
OUTLINE：Econodual3
Circuit structure：Half bridge

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[IGBT] JFF600R12KHT6

VCES(V)Min：1200
VGES(V)-(Max)：±20
Ic(A)：600
VCE(sat)typ(V)：1.70
Pd(W)：
VF(V)@25℃：1.75
OUTLINE：62mm
Circuit structure：Half bridge

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[IGBT] JFF450R12MHT6

VCES(V)Min：1200
VGES(V)-(Max)：±20
Ic(A)：450
VCE(sat)typ(V)：1.76
Pd(W)：2000
VF(V)@25℃：2.174
OUTLINE：Econodual3
Circuit structure：Half bridge

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[IGBT] JFF450R12KHT6

VCES(V)Min：1200
VGES(V)-(Max)：±20
Ic(A)：450
VCE(sat)typ(V)：1.69
Pd(W)：1838
VF(V)@25℃：1.90
OUTLINE：62mm
Circuit structure：Half bridge

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[IGBT] JFF300R12MHT6

VCES(V)Min：1200
VGES(V)-(Max)：±20
Ic(A)：300
VCE(sat)typ(V)：1.71
Pd(W)：1500
VF(V)@25℃：1.95
OUTLINE：Econodual3
Circuit structure：Half bridge

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[IGBT] JFF300R12KHT6

VCES(V)Min：1200
VGES(V)-(Max)：±20
Ic(A)：300
VCE(sat)typ(V)：1.83
Pd(W)：1140
VF(V)@25℃：1.80
OUTLINE：62mm
Circuit structure：Half bridge

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[IGBT] JFF200R12KHT6

VCES(V)Min：1200
VGES(V)-(Max)：±20
Ic(A)：200
VCE(sat)typ(V)：2.35
Pd(W)：933
VF(V)@25℃：2.27
OUTLINE：62mm
Circuit structure：Half bridge

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[IGBT] JFS200R12N3HT6

VCES(V)Min：1200
VGES(V)-(Max)：±20
Ic(A)：200
VCE(sat)typ(V)：1.61
Pd(W)：1020
VF(V)@25℃：2.12
OUTLINE：EconoPIM3
Circuit structure：six pack 六单元

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[IGBT] JFS150R12N3HT6

VCES(V)Min：1200
VGES(V)-(Max)：±20
Ic(A)：150
VCE(sat)typ(V)：1.65
Pd(W)：
VF(V)@25℃：2.2
OUTLINE：EconoPIM3
Circuit structure：six pack 六单元

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[IGBT] JFP100R12N3HT6

VCES(V)Min：1200
VGES(V)-(Max)：±20
Ic(A)：100
VCE(sat)typ(V)：1.73
Pd(W)：490
VF(V)@25℃：2.47
OUTLINE：EconoPIM3
Circuit structure：PIM 七单元

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[IGBT] JFF100R12RHT6

VCES(V)Min：1200
VGES(V)-(Max)：±20
Ic(A)：100
VCE(sat)typ(V)：1.90
Pd(W)：470
VF(V)@25℃：1.85
OUTLINE：34mm
Circuit structure：Half bridge

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[IGBT] JFS75R12W2HT6

VCES(V)Min：1200
VGES(V)-(Max)：±20
Ic(A)：75
VCE(sat)typ(V)：1.61
Pd(W)：320
VF(V)@25℃：2.41
OUTLINE：EasyPIM 2B
Circuit structure：six pack 六单元

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