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[Super trench MOSFET] D110N08N

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：80
Id(A)：110
Pd(W)：145
Vgs(MAX)(V)：±20
Vth(Min)(V)：2.0
Vth(Max)(V)：4.0
RDS(on)(typ)(Ω)@1.8V：
RDS(on)(typ)(Ω)@2.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.0054
Qg(typ)(nc)@4.5V：
Qg(typ)(nc)@10V：57
Ciss(typ)(pF)：4018
Rg(Ω)：
OUTLINE...：TO-251

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[Super trench MOSFET] D110N08E

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：80
Id(A)：110
Pd(W)：145
Vgs(MAX)(V)：±20
Vth(Min)(V)：2.0
Vth(Max)(V)：4.0
RDS(on)(typ)(Ω)@1.8V：
RDS(on)(typ)(Ω)@2.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.0054
Qg(typ)(nc)@4.5V：
Qg(typ)(nc)@10V：57
Ciss(typ)(pF)：4018
Rg(Ω)：
OUTLINE...：TO-262

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[Super trench MOSFET] D110N08D

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：80
Id(A)：110
Pd(W)：145
Vgs(MAX)(V)：±20
Vth(Min)(V)：2.0
Vth(Max)(V)：4.0
RDS(on)(typ)(Ω)@1.8V：
RDS(on)(typ)(Ω)@2.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.0054
Qg(typ)(nc)@4.5V：
Qg(typ)(nc)@10V：57
Ciss(typ)(pF)：4018
Rg(Ω)：
OUTLINE...：TO-263

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[Super trench MOSFET] D110N08F

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：80
Id(A)：110
Pd(W)：35
Vgs(MAX)(V)：±20
Vth(Min)(V)：2.0
Vth(Max)(V)：4.0
RDS(on)(typ)(Ω)@1.8V：
RDS(on)(typ)(Ω)@2.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.0054
Qg(typ)(nc)@4.5V：
Qg(typ)(nc)@10V：57
Ciss(typ)(pF)：4018
Rg(Ω)：
OUTLINE...：ITO-220

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[Super trench MOSFET] D110N08

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：80
Id(A)：110
Pd(W)：145
Vgs(MAX)(V)：±20
Vth(Min)(V)：2.0
Vth(Max)(V)：4.0
RDS(on)(typ)(Ω)@1.8V：
RDS(on)(typ)(Ω)@2.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.0054
Qg(typ)(nc)@4.5V：
Qg(typ)(nc)@10V：57
Ciss(typ)(pF)：4018
Rg(Ω)：
OUTLINE...：TO-220

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[ESD保护二极管] ESDN2L1006C5V01R

VRWM(V)：5.0
VBRmin(V)：6.5
Cj(pF)：0.5
Ipp(A)：4
Vc(V)：25
Ppp(W)：100
A/C：C
Lines：1
OUTLINE：DFN1006

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[ESD保护二极管] ESD1A5V01V

VRWM(V)：5.0
VBRmin(V)：6.2
Cj(pF)：95
Ipp(A)：13
Vc(V)：13
Ppp(W)：170
A/C：A
Lines：1
OUTLINE：SOD-123

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[Super trench MOSFET] D10P06M

Configuration：Single
Ch：P
Vds(V)：-60
Id(A)：-10
Pd(W)：50
Vgs(MAX)(V)：±20
Vth(Min)(V)：-1
Vth(Max)(V)：-3
RDS(on)(typ)(Ω)@1.8V：
RDS(on)(typ)(Ω)@2.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V：0.098
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.078
Qg(typ)(nc)@4.5V：
Qg(typ)(nc)@10V：18
Ciss(typ)(pF)：900
Rg(Ω)：
OUTLINE...：TO-252

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[Super trench MOSFET] D10P06N

Configuration：Single
Ch：P
Vds(V)：-60
Id(A)：-10
Pd(W)：50
Vgs(MAX)(V)：±20
Vth(Min)(V)：-1
Vth(Max)(V)：-3
RDS(on)(typ)(Ω)@1.8V：
RDS(on)(typ)(Ω)@2.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V：0.098
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.078
Qg(typ)(nc)@4.5V：
Qg(typ)(nc)@10V：18
Ciss(typ)(pF)：900
Rg(Ω)：
OUTLINE...：TO-251

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[Super trench MOSFET] D10P06E

Configuration：Single
Ch：P
Vds(V)：-60
Id(A)：-10
Pd(W)：50
Vgs(MAX)(V)：±20
Vth(Min)(V)：-1
Vth(Max)(V)：-3
RDS(on)(typ)(Ω)@1.8V：
RDS(on)(typ)(Ω)@2.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V：0.098
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.078
Qg(typ)(nc)@4.5V：
Qg(typ)(nc)@10V：18
Ciss(typ)(pF)：900
Rg(Ω)：
OUTLINE...：TO-262

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[Super trench MOSFET] D10P06D

Configuration：Single
Ch：P
Vds(V)：-60
Id(A)：-10
Pd(W)：50
Vgs(MAX)(V)：±20
Vth(Min)(V)：-1
Vth(Max)(V)：-3
RDS(on)(typ)(Ω)@1.8V：
RDS(on)(typ)(Ω)@2.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V：0.098
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.078
Qg(typ)(nc)@4.5V：
Qg(typ)(nc)@10V：18
Ciss(typ)(pF)：900
Rg(Ω)：
OUTLINE...：TO-263

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[Super trench MOSFET] D10P06F

Configuration：Single
Ch：P
Vds(V)：-60
Id(A)：-10
Pd(W)：20
Vgs(MAX)(V)：±20
Vth(Min)(V)：-1
Vth(Max)(V)：-3
RDS(on)(typ)(Ω)@1.8V：
RDS(on)(typ)(Ω)@2.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V：0.098
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.078
Qg(typ)(nc)@4.5V：
Qg(typ)(nc)@10V：18
Ciss(typ)(pF)：900
Rg(Ω)：
OUTLINE...：ITO-220

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[Super trench MOSFET] D10P06

Configuration：Single
Ch：P
Vds(V)：-60
Id(A)：-10
Pd(W)：50
Vgs(MAX)(V)：±20
Vth(Min)(V)：-1
Vth(Max)(V)：-3
RDS(on)(typ)(Ω)@1.8V：
RDS(on)(typ)(Ω)@2.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V：0.098
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.078
Qg(typ)(nc)@4.5V：
Qg(typ)(nc)@10V：18
Ciss(typ)(pF)：900
Rg(Ω)：
OUTLINE...：TO-220

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[三极管] BC807

Polarity：PNP
Compliance：PF/HF
Complementary：BC817
Pc (mW)：300
Ic (mA)：-500
V(BR)EBO(V)：-5
V(BR)CBO(V)：-50
V(BR)CEO(V)：-45
hFE Min：100
hFE Max：600
@VCE(V）：-1
@Ic(mA)：-100
VCE(sat)(V)：-0.7
@IC(mA)：-500
@IB(mA)：-50
fT(MHz)：100
OUTLINE：SOT-23

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[Super trench MOSFET] D12N10M

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：100
Id(A)：12
Pd(W)：28
Vgs(MAX)(V)：±20
Vth(Min)(V)：1.0
Vth(Max)(V)：3.0
RDS(on)(typ)(Ω)@1.8V：
RDS(on)(typ)(Ω)@2.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V：0.088
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.083
Qg(typ)(nc)@4.5V：15.5
Qg(typ)(nc)@10V：
Ciss(typ)(pF)：735
Rg(Ω)：
OUTLINE...：TO-252

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[Super trench MOSFET] D12N10N

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：100
Id(A)：12
Pd(W)：28
Vgs(MAX)(V)：±20
Vth(Min)(V)：1.0
Vth(Max)(V)：3.0
RDS(on)(typ)(Ω)@1.8V：
RDS(on)(typ)(Ω)@2.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V：0.088
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.083
Qg(typ)(nc)@4.5V：15.5
Qg(typ)(nc)@10V：
Ciss(typ)(pF)：735
Rg(Ω)：
OUTLINE...：TO-251

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[普通整流二极管] 25A10

VRRM(V)：1000
VF(V)：1.1
@IF(A)：25.0
IR@25℃(uA)：5
trr(ns)：
OUTLINE：R-6

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[普通整流二极管] 25A8

VRRM(V)：800
VF(V)：1.1
@IF(A)：25.0
IR@25℃(uA)：5
trr(ns)：
OUTLINE：R-6

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[普通整流二极管] 25A6

VRRM(V)：600
VF(V)：1.1
@IF(A)：25.0
IR@25℃(uA)：5
trr(ns)：
OUTLINE：R-6

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[普通整流二极管] 25A4

VRRM(V)：400
VF(V)：1.1
@IF(A)：25.0
IR@25℃(uA)：5
trr(ns)：
OUTLINE：R-6

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