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[整流桥] GBJ3008

IF(A)：30.0
VRRM(V)：800
IFSM(A)：350
VF(V)：1.05
@IF(A)：15.0
IR@25℃(uA)：5
trr(ns)：
OUTLINE：GBJ

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[整流桥] GBJ3006

IF(A)：30.0
VRRM(V)：600
IFSM(A)：350
VF(V)：1.05
@IF(A)：15.0
IR@25℃(uA)：5
trr(ns)：
OUTLINE：GBJ

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[整流桥] GBJ3004

IF(A)：30.0
VRRM(V)：400
IFSM(A)：350
VF(V)：1.05
@IF(A)：15.0
IR@25℃(uA)：5
trr(ns)：
OUTLINE：GBJ

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[整流桥] GBJ3002

IF(A)：30.0
VRRM(V)：200
IFSM(A)：350
VF(V)：1.05
@IF(A)：15.0
IR@25℃(uA)：5
trr(ns)：
OUTLINE：GBJ

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[整流桥] GBJ3001

IF(A)：30.0
VRRM(V)：100
IFSM(A)：350
VF(V)：1.05
@IF(A)：15.0
IR@25℃(uA)：5
trr(ns)：
OUTLINE：GBJ

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[Super Junction MOSFET] SJ9N80N

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：800
Id(A)：9
Pd(W)：131
Vgs(MAX)(V)：±30
Vth(Min)(V)：2.5
Vth(Max)(V)：4.5
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.68
Qg(typ)(nc)@10V：38
Ciss(typ)(pF)：680
OUTLINE：TO-251

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[Super Junction MOSFET] SJ9N80M

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：800
Id(A)：9
Pd(W)：131
Vgs(MAX)(V)：±30
Vth(Min)(V)：2.5
Vth(Max)(V)：4.5
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.68
Qg(typ)(nc)@10V：38
Ciss(typ)(pF)：680
OUTLINE：TO-252(DPAK)

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[Super Junction MOSFET] SJ9N80E

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：800
Id(A)：9
Pd(W)：131
Vgs(MAX)(V)：±30
Vth(Min)(V)：2.5
Vth(Max)(V)：4.5
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.68
Qg(typ)(nc)@10V：38
Ciss(typ)(pF)：680
OUTLINE：TO-262

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[Super Junction MOSFET] SJ9N80D

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：800
Id(A)：9
Pd(W)：131
Vgs(MAX)(V)：±30
Vth(Min)(V)：2.5
Vth(Max)(V)：4.5
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.68
Qg(typ)(nc)@10V：38
Ciss(typ)(pF)：680
OUTLINE：TO-263(D2PAK)

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[Super Junction MOSFET] SJ9N80F

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：800
Id(A)：9
Pd(W)：34
Vgs(MAX)(V)：±30
Vth(Min)(V)：2.5
Vth(Max)(V)：4.5
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.68
Qg(typ)(nc)@10V：38
Ciss(typ)(pF)：680
OUTLINE：ITO-220

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[Super Junction MOSFET] SJ9N80

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：800
Id(A)：9
Pd(W)：131
Vgs(MAX)(V)：±30
Vth(Min)(V)：2.5
Vth(Max)(V)：4.5
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.68
Qg(typ)(nc)@10V：38
Ciss(typ)(pF)：680
OUTLINE：TO-220

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[Super Junction MOSFET] SJ13N65M

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：650
Id(A)：13
Pd(W)：104
Vgs(MAX)(V)：±30
Vth(Min)(V)：2.5
Vth(Max)(V)：4.5
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.32
Qg(typ)(nc)@10V：16.6
Ciss(typ)(pF)：630
OUTLINE：TO-252(DPAK)

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[Super Junction MOSFET] SJ13N65D

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：650
Id(A)：13
Pd(W)：104
Vgs(MAX)(V)：±30
Vth(Min)(V)：2.5
Vth(Max)(V)：4.5
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.32
Qg(typ)(nc)@10V：16.6
Ciss(typ)(pF)：630
OUTLINE：TO-263(D2PAK)

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[Super Junction MOSFET] SJ13N65F

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：650
Id(A)：13
Pd(W)：35
Vgs(MAX)(V)：±30
Vth(Min)(V)：2.5
Vth(Max)(V)：4.5
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.32
Qg(typ)(nc)@10V：16.6
Ciss(typ)(pF)：630
OUTLINE：ITO-220

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[Super Junction MOSFET] SJ13N65

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：650
Id(A)：13
Pd(W)：104
Vgs(MAX)(V)：±30
Vth(Min)(V)：2.5
Vth(Max)(V)：4.5
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.32
Qg(typ)(nc)@10V：16.6
Ciss(typ)(pF)：630
OUTLINE：TO-220

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[肖特基二极管] SR10300M3

IF(A)：10.0
VRRM(V)：300
IFSM(A)：150
VF(V)：0.90
@IF(A)：10.0
IR@25℃(uA)：5
trr(ns)：
OUTLINE：TO-252(DPAK)

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[低正向肖特基二极管] SR40200LPT

IF(A)：40.0
VRRM(V)：200
IFSM(A)：400
VF(V)：0.90
@IF(A)：20.0
IR@25℃(uA)：20
trr(ns)：
OUTLINE：TO-247AB

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[超快恢复二极管] MUR30120

IF(A)：30.0
VRRM(V)：1200
IFSM(A)：300
VF(V)：2.4
@IF(A)：30.0
IR@25℃(uA)：10
trr(ns)：70
OUTLINE：TO-220AC

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[三极管] MMST2907A

Polarity：PNP
Compliance：PF/HF
Complementary：MMST2222A
Pc (mW)：200
Ic (mA)：-600
V(BR)EBO(V)：-5
V(BR)CBO(V)：-60
V(BR)CEO(V)：-60
hFE Min：100
hFE Max：300
@VCE(V）：-10
@Ic(mA)：-150
VCE(sat)(V)：-0.4
@IC(mA)：-150
@IB(mA)：-15
fT(MHz)：200
OUTLINE：SOT-323

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[肖特基二极管] SR10150M3

IF(A)：10.0
VRRM(V)：150
IFSM(A)：150
VF(V)：0.90
@IF(A)：10.0
IR@25℃(uA)：5
trr(ns)：
OUTLINE：TO-252(DPAK)

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