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[Super trench MOSFET] DS180N15D7

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：150
Id(A)：180
Pd(W)：375
Vgs(MAX)(V)：±20
Vth(Min)(V)：2.0
Vth(Max)(V)：4.0
RDS(on)(typ)(Ω)@1.8V：
RDS(on)(typ)(Ω)@2.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.0032
Qg(typ)(nc)@4.5V：
Qg(typ)(nc)@10V：137
Ciss(typ)(pF)：9848
Rg(Ω)：
OUTLINE...：TO-263-7L

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[汽车级产品] SS410L-V

IF(A)：4.0
VRRM(V)：100
IFSM(A)：100
VF(V)：0.66
@IF(A)：4.0
IR@25℃(uA)：9.0
trr(ns)：
OUTLINE：SMA
是否符合AEC-Q101：Y

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[整流桥] ABS220K

IF(A)：2.0
VRRM(V)：200
IFSM(A)：50
VF(V)：0.95
@IF(A)：2.0
IR@25℃(uA)：50
trr(ns)：
OUTLINE：ABS

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[整流桥] ABS215K

IF(A)：2.0
VRRM(V)：150
IFSM(A)：50
VF(V)：0.95
@IF(A)：2.0
IR@25℃(uA)：50
trr(ns)：
OUTLINE：ABS

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[整流桥] ABS28K

IF(A)：2.0
VRRM(V)：80
IFSM(A)：50
VF(V)：0.85
@IF(A)：2.0
IR@25℃(uA)：50
trr(ns)：
OUTLINE：ABS

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[整流桥] ABS26K

IF(A)：2.0
VRRM(V)：60
IFSM(A)：50
VF(V)：0.70
@IF(A)：2.0
IR@25℃(uA)：500
trr(ns)：
OUTLINE：ABS

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[整流桥] ABS24K

IF(A)：2.0
VRRM(V)：40
IFSM(A)：50
VF(V)：0.55
@IF(A)：2.0
IR@25℃(uA)：500
trr(ns)：
OUTLINE：ABS

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[Super trench MOSFET] DS011N04G

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：40
Id(A)：130
Pd(W)：114
Vgs(MAX)(V)：±20
Vth(Min)(V)：1.2
Vth(Max)(V)：2.5
RDS(on)(typ)(Ω)@1.8V：
RDS(on)(typ)(Ω)@2.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.0011
Qg(typ)(nc)@4.5V：
Qg(typ)(nc)@10V：127
Ciss(typ)(pF)：8300
Rg(Ω)：2.7
OUTLINE...：DFN5*6

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[低正向肖特基二极管] SRF3060LCT

IF(A)：30.0
VRRM(V)：60
IFSM(A)：200
VF(V)：0.60
@IF(A)：15.0
IR@25℃(uA)：50
trr(ns)：
OUTLINE：ITO-220AB

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[Super trench MOSFET] DS330N10G3

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：150
Id(A)：75
Pd(W)：215
Vgs(MAX)(V)：±20
Vth(Min)(V)：2.0
Vth(Max)(V)：4.0
RDS(on)(typ)(Ω)@1.8V：
RDS(on)(typ)(Ω)@2.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.0098
Qg(typ)(nc)@4.5V：
Qg(typ)(nc)@10V：35
Ciss(typ)(pF)：2336
Rg(Ω)：
OUTLINE...：DFN5*6

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[Super trench MOSFET] D105N15N

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：150
Id(A)：105
Pd(W)：313
Vgs(MAX)(V)：±20
Vth(Min)(V)：2.0
Vth(Max)(V)：4.0
RDS(on)(typ)(Ω)@1.8V：
RDS(on)(typ)(Ω)@2.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.0097
Qg(typ)(nc)@4.5V：
Qg(typ)(nc)@10V：141
Ciss(typ)(pF)：2322
Rg(Ω)：
OUTLINE...：TO-251

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[Super trench MOSFET] D105N15M

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：150
Id(A)：105
Pd(W)：313
Vgs(MAX)(V)：±20
Vth(Min)(V)：2.0
Vth(Max)(V)：4.0
RDS(on)(typ)(Ω)@1.8V：
RDS(on)(typ)(Ω)@2.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.0097
Qg(typ)(nc)@4.5V：
Qg(typ)(nc)@10V：141
Ciss(typ)(pF)：2322
Rg(Ω)：
OUTLINE...：TO-252

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[Super trench MOSFET] D105N15E

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：150
Id(A)：105
Pd(W)：313
Vgs(MAX)(V)：±20
Vth(Min)(V)：2.0
Vth(Max)(V)：4.0
RDS(on)(typ)(Ω)@1.8V：
RDS(on)(typ)(Ω)@2.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.0097
Qg(typ)(nc)@4.5V：
Qg(typ)(nc)@10V：141
Ciss(typ)(pF)：2322
Rg(Ω)：
OUTLINE...：TO-262

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[Super trench MOSFET] D105N15D

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：150
Id(A)：105
Pd(W)：313
Vgs(MAX)(V)：±20
Vth(Min)(V)：2.0
Vth(Max)(V)：4.0
RDS(on)(typ)(Ω)@1.8V：
RDS(on)(typ)(Ω)@2.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.0097
Qg(typ)(nc)@4.5V：
Qg(typ)(nc)@10V：141
Ciss(typ)(pF)：2322
Rg(Ω)：
OUTLINE...：TO-263

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[Super trench MOSFET] D105N15F

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：150
Id(A)：105
Pd(W)：45
Vgs(MAX)(V)：±20
Vth(Min)(V)：2.0
Vth(Max)(V)：4.0
RDS(on)(typ)(Ω)@1.8V：
RDS(on)(typ)(Ω)@2.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.0097
Qg(typ)(nc)@4.5V：
Qg(typ)(nc)@10V：141
Ciss(typ)(pF)：2322
Rg(Ω)：
OUTLINE...：TO-220

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[Super trench MOSFET] D105N15

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：150
Id(A)：105
Pd(W)：313
Vgs(MAX)(V)：±20
Vth(Min)(V)：2.0
Vth(Max)(V)：4.0
RDS(on)(typ)(Ω)@1.8V：
RDS(on)(typ)(Ω)@2.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.0097
Qg(typ)(nc)@4.5V：
Qg(typ)(nc)@10V：141
Ciss(typ)(pF)：2322
Rg(Ω)：
OUTLINE...：TO-220

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[Super trench MOSFET] D10N07G3

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：70
Id(A)：56
Pd(W)：75
Vgs(MAX)(V)：±20
Vth(Min)(V)：2.0
Vth(Max)(V)：4.0
RDS(on)(typ)(Ω)@1.8V：
RDS(on)(typ)(Ω)@2.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.010
Qg(typ)(nc)@4.5V：
Qg(typ)(nc)@10V：46.3
Ciss(typ)(pF)：2160
Rg(Ω)：1.8
OUTLINE...：DFN5*6

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[二极管] JD4S200-200

VRRM(V)：200
IF(AV)(A)：200
VF(V)：1.3
@IF(A)：200
IR@25℃(μA)：20
IFSM(A)：2000
trr(ns)：
OUTLINE：D
Circuit structure：4

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[二极管] JB4M500-120

VRRM(V)：1200
IF(AV)(A)：500
VF(V)：1.7
@IF(A)：500
IR@25℃(μA)：20
IFSM(A)：6500
trr(ns)：
OUTLINE：B
Circuit structure：4

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[Super trench MOSFET] D035N03Q

Configuration：Single
Ch：N
Vds(V)：60
Id(A)：90
Pd(W)：78
Vgs(MAX)(V)：±20
Vth(Min)(V)：1.0
Vth(Max)(V)：2.5
RDS(on)(typ)(Ω)@1.8V：
RDS(on)(typ)(Ω)@2.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@4.5V：
RDS(on)(typ)(Ω)@10V：0.004
Qg(typ)(nc)@4.5V：
Qg(typ)(nc)@10V：30
Ciss(typ)(pF)：2139
Rg(Ω)：
OUTLINE...：DFN5*6

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