济南晶恒集团碳化硅器件技术研究进展

由于现有硅器件材料特性的局限性，碳化硅材料以其优越的材料特性越来越受到半导体行业的重视。美国、日本这些走在半导体前沿的国家，都投入巨资进行研究，推动碳化硅材料的广泛应用，逐步替代硅材料。

碳化硅材料，具体有禁带宽度大，击穿场高，热导率大，电子饱和漂移速度快等特点，所以由碳化硅材料制成的碳化硅肖特基二极管就同样具备了高击穿电压，开关频率快，工作温度高等优势。碳化硅器件可以应用于光伏发电、电动汽车领域，降低能量转化损耗；可以应用于轨道交通领域，降低牵引逆变器体积和重量；可以应用于高压输变电领域，可以降低功率模块、变压器尺寸。

济南晶恒集团作为老牌的半导体研发企业，早已关注碳化硅新材料领域，投入了大量的人力物力进行研究开发。济南晶恒集团的碳化硅器件从军工产品中研发而来，目前正在给国防军工领域稳定输送产品。现在晶恒的碳化硅器件已经可以大批量应用于民用产品。晶恒集团现在已经形成了碳化硅肖特基二极管的产品系列，并且SIC MOSFET，SiC JFET和BJT也正在研发中。

济南晶恒集团于2017年3月份申报的山东省重大科技创新工程-高性能特种新材料方向 “低成本碳化硅器件与模组关键技术”项目，10月份已审批通过，获得政府经费支持。此项目以SiC千瓦级大功率低成本开关器件为研究重点。

济南晶恒集团现在已经可以批量供货的碳化硅产品

650V/10A、20A、30A、50A

1200V/2A、10A、15A、40A

1700V/5A、10A、25A

2000V/2A、2500V/2A

济南晶恒的碳化硅器件，可以封装多样化形式，例如绝缘壳体的全包塑封TO-220\TO-263\TO-247等，低寄生参数表面贴封，耐高温应用金属陶瓷封装等。

晶恒集团现在主推的碳化硅肖特基二极管器件，具备耐高温芯片制造工艺及封装技术，可工作于环境温度150℃、结温200℃。而且我们还在进一步提升器件工艺和封装关键技术，目标是满足250℃以上应用要求。

新技术、新产品的研发是半导体企业的生命，相信晶恒集团以其自身的优势，一定会紧跟半导体技术发展的前沿，不断给市场提供越来越多新型的器件产品。