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中国特种二极管研发制造基地
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标题

Vds(MAX)

Id(MAX)

Pd(MAX)

Vgs(MAX)

RDS(on)(typ)(@10V)

Qg (nC)@10V

Ciss(typ)

OUTLINE

MOSFET
2N60 600 2.0 44 30 4.0 5.7 300
2N65 650 2.0 44 30 4.0 5.7 300
4N65 650 4 106 30 2.0 100 670
7N65 650 7 142 30 1.35 38 1210
10N65 650 10 156 30 0.88 24 1200
12N65 650 12 225 30 0.65 42 1480

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